ハイニックスとSTマイクロエレクトロニクスが中国の合弁メモリ製造工場を落成

中国の最大ウェハー工場でコスト効率に優れた製造を行い世界で最も急成長中の市場へのアクセスを確保

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)とハイニックス・セミコンダクタ(Bloomberg: 000660 KS、以下ハイニックス)は、中国の江蘇省(Jiangsu Province)無錫(Wuxi City)にある両社合弁の前工程工場の正式落成を発表しました。落成式は、中国国内の政府ならびに地方自治体関係者の列席のもと執り行われました。

最新鋭設備を擁する新工場では、NANDフラッシュおよびDRAMメモリの生産を予定しています。これにより両社は、規模の経済性、急成長中の中国市場への利便性、プロセスおよび製品開発面の補完により、大きなメリットを享受することになります。無錫工場の稼動により、STは、NANDフラッシュ市場における優位性を強化すると同時に、高性能かつコスト競争力に優れたFlashメモリとのスタック用DRAMチップを供給します。